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        英飞凌MOSFET以特有计划方式为更多产品带来效率、功率密度和本效益热竞技官网

        时光:2019/10/31翻阅:46 关键词:MOSFET

        英飞凌之n通道和p通道功率mosfet规划方式独特;

        要求高电压阻断能力和低损耗快速开关的AC-DC运用利用革命性的Coolmos™最佳结技术,提供更便捷的能源。

        DC-DC运用可根据她对低损耗极快速开关或在中间频率下更热竞技健开关的要求进行分类。optimos™功率mosfet艺术在100khz上述的能源应用中的超低开关损耗,以及在需求高雪崩保护(如电机控制)的运用中的高可靠性strongirfet™使设计者受益匪浅。

        要求最高质量和提高保护作用的规划得益于英飞凌汽车认证的N通道和P通道mosfet,它们超越了aec-q101行业标准,提供了行业中最可靠的mosfet

         

        英飞凌之全系列n通道和p通道功率mosfet和系统使您的运用程序实现创新和总体性,包括开关模式电源(smps)、计算、电机控制和驱动、顾客、移步设备、照耀解决方案、面包车等。

         

        拍卖业功率mosfet20v-300v)和强irfet铺天盖地

        英飞凌高度创新之OptimosStrongIRFET铺天盖地始终满足电力系统设计关键规范中的最高质量和总体性要求,如导通电阻和优值特性。英飞凌是发电(如太阳能微型逆变器)、能源(如服务器和各行)和功耗(如电动汽车)霎时解决方案的市场管理者。

         

        1.穿越压缩多相转换器中的相数,节约总体系统成本

         

        2.降低功率损耗,增长整个负载条件下的频率

         

        3.采取最小的包装(如DirectFET™或体系内封装解决方案)节约空间

         

        4.最小化系统中的电磁干扰,使外部缓冲网络过时,产品易于设计

         

         

        拍卖业功率mosfets 500v-950v-coolmos™铺天盖地

         

        采取Coolmos™的AC-DC运用程序利用英飞雨付出的最佳结原理,下每R D(开)的最低损耗中现金。这创造了比从前任何时候都更火速、更紧密、更凉爽的能源。Coolmos™有多种艺术可用于特定的拓扑和使用。

         

        面包车功率mosfets 20v-600v-optimos™铺天盖地

         

        英飞凌Optimos™构成了领先的mosfet艺术和有力的包装,提供一流的特性和一流的核电容量。面包车合格的mosfet封装现在有更高的核电容量,谢谢我们的powerbond艺术。

         

        1.一流的R DS(开)性能,增长系统效率

         

        2.市场上最大电流dpakd 2pak,以减少ecu模块尺寸

         

        3.最低的开关和传导功率损耗,增长热系统可靠性

         

        4.巩固的绿色包装,便于工艺处理