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英飞凌是专门家提供全面的直径器件组合的集团热竞技官网

时光:2019/12/4翻阅:218 关键词:infineon

英飞凌提供硅(Si)、水晶(SiC)和GaN

下微安到兆瓦之原子能效解决方案,高度可靠的IGBTs、功率mosfetGaN电子模式HEMTs、功率分立器件、维护开关、Si传感器、GaN传感器、IGBT模块、智能功率模块(IPMs)、线性调节器、电机控制解决方案、LED传感器以及全体形式的AC-DCDC-DC和数字功率转换。

 

优点

 

英飞凌

 

MOSFETs

 

英飞凌MOSFET产品组合提供汽车MOSFET、功率MOSFETRF MOSFET

 

OptiMOS™面包车应用结合了领先的MOSFET艺术和有力的包装,以提供一流的特性和一流的核电容量。在农业部应用中,OptiMOS20V-250V前后在农业部系统设计的重要规范中设定基准,包括领先的状态电阻和总体性指标。

 

批判性的CoolMOS™功率系列500V-900V在能效领域树立了新的标准,并明确降低了传导和开关损耗,使典型的直径转换系统具有更高的功率密度和频率

 

IGBTs

 

英飞凌提供全面的技巧结合领先的IGBT裸模,离散,模块,甚至完整的仓库。这使在第三产业应用提供可靠和飞跃的解决方案,如通用逆变器、太阳能和风能逆变器、UPS、焊接、影响加热和SMPS系统。提议将igbt应用于诸如电饭煲、彩电和影响烹饪炉甚至空调系统等消费者采取中。离散式汽车igbt和模块也可用于压电注入、HID照耀、泵和小型驱动器等利用。

 

水晶(SiC

 

与常用硅相比,水晶器件为高压功率半导体提供了很多吸引人之特色。英飞凌之CoolSiC™肖特基二极管从600伏到1200伏不等,可提高服务器、旅游业太阳能、照耀、顾客、PC能源和AC/DC等利用的频率和解决方案成本。批判性的CoolSiC1200 V SiC JFET铺天盖地,构成提议的直接驱动技术,代表了英飞凌之领先解决方案,名将实际设计推向了新的、时至今日无法达到的频率水平。也可提供:高效率的IGBT功率模块与碳化硅飞轮二极管。

 

 

氮化镓(GaN

氮化镓(GaN)是一种宽带隙(WBG)资料,同意器件在比硅等传统半导体材料更高的效率和温度下工作。英飞凌CoolGaN™氮化镓解决方案基于市场上最强劲、性能最好的定义——提高模式(e分立式)概念,提供便捷的开始和关闭速度。CoolGaNHEMTs提供了天涯海角超出标准的最高质量和可靠性,并在新石器、旅游业、全线充电、适配器和服务器以及音频等多个应用中贯彻了性能改进。

 

 

大功率晶闸管和二极管

合同于电力驱动、电压软起动器、合同电源、甚至复杂的功效传输体系等大功率应用的压包或模块外壳中的坚固高效的晶闸管和二极管。

 

门驱动器

 

低压和高压门极驱动集成电路和电路板解决方案,为igbtmosfet提供可靠和飞跃的左右。英飞凌店铺的DC-DC低压门极驱动器是用于计算和各行负载点等利用的双功率mosfet的快速驱动器,可根据计划人员的规则和要求调整系统之频率。也请找到我们的高性能隔离栅驱动芯片和电路板(EiceDRIVER™),用于CoolMOSmosfetIGBT独立器件,甚至用于大多数环保应用的模块。

 

 

集成功率级

该产品提供具有最高效率和功率密度的直径级解决方案,如DRMODrBlade。随着DrBlade英飞凌提供了一下新的超紧凑集成MOSFET半桥驱动器,基于革命性的刀片芯片嵌入技术。

 


    
       
       
       
       
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